"Электронные свойства сильно легированных полупроводниковых наноструктур"

К.В. Рейх (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН)

В последнее десятилетие был предложен новый способ поверхностного легирования слабо проводящих или диэлектрических материалов, который позволяет наблюдать в поверхностном слое металлическую или даже сверхпроводящую фазу. Этот способ заключается в использовании электролитов в качестве материала затвора полевого транзистора. В докладе рассмотрено действие таких электролитов на электронные свойства наноструктур, таких как квантовые точки и полупроводниковые тонкие пленки. Во многом эти свойства наследуют свойства объёмных полупроводников, но в ряде случаев существенно отличаются. В частности, переход металл-диэлектрик в таких системах происходит при намного большей концентрации электронов, нежели в объёмном материале, а характер проводимости существенно зависит от типа беспорядка, эффектов квантового конфайнмента, кулоновской блокады.

Подключиться к онлайн-семинару можно по ссылке

Номер совещания: 2392 150 6313

Пароль: zHTN3VPt5h8